MPSA44 MPSA44 npn high voltage si-epitaxial p lanar transistors hochspannungs-si-epitaxial planar-transistoren npn version 2010-09-30 dimensions / ma?e [mm] power dissipation verlustleistung 625 mw plastic case kunststoffgeh?use to-92 (10d3) weight approx. gewicht ca. 0.18 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings (t a = 25c) grenzwerte (t a = 25c) MPSA44 collector-emitter-volt. - kollektor-emitter-spannung b open v ceo 400 v collector-base-voltage - kollektor-basis-spannung e open v cbo 500 v emitter-base-voltage - emitter-basis-spannung c open v ebo 6 v power dissipation C verlustleistung p tot 625 mw 1 ) collector current C kollektorstrom (dc) i c 300 ma junction temperature C sperrschichttemperatur t j -55...+150c storage temperature C lagerungstemperatur t s -55+150c characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) min. typ. max. collector-base cutoff current C kollektorreststrom i e = 0, v cb = 400 v MPSA44 i cb0 C C 100 na emitter-base cutoff current C emitterreststrom i b = 0, v eb = 4 v MPSA44 i eb0 C C 100 na collector saturation voltage C kollektor-s?ttigungsspannung 2 ) i c = 1 ma, i b = 0.1 ma i c = 10 ma, i b = 1 ma i c = 50 ma, i b = 5 ma MPSA44 v cesat v cesat v cesat C C 400 mv 500 mv 750 mv 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen tp = 300 s, schaltverh?ltnis 2% ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 1 6 1 8 9 2 x 2.54 e b c
MPSA44 characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) min. typ. max. base saturation voltage C basis-s?ttigungsspannung 1 ) i c = 10 ma, i b = 1 ma v besat C C 750 mv dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis v ce = 10 v, i c = 1 ma v ce = 10 v, i c = 10 ma v ce = 10 v, i c = 50 ma v ce = 10 v, i c = 100 ma h fe h fe h fe h fe 40 50 45 40 C 200 C C C C C C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t v cb = 20 v, i e = i e = 0, f = 1 mhz MPSA44 c cb0 C C 7pf thermal resistance junction C ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 200 k/w 2 ) recommended complementary pnp transistors empfohlene komplement?re pnp-transistoren mpsa94 1 tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen tp = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1
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